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Flaches Verunreinigungsband in ZrNiSn

By Matthias Schrade and others
ZrNiSn und verwandte Halbheusler-Verbindungen sind Kandidatenmaterialien für eine effiziente thermoelektrische Energieumwandlung mit einer gemeldeten thermoelektrischen Gütezahl von n-Typ-ZrNiSn von mehr als Eins. Der Fortschritt bei p-Typ-Materialien war begrenzter, was auf das Vorhandensein einer Verunreinigungsbande zurückzuführen ist, die möglicherweise mit dem Vorhandensein von Ni-Zwischengittern in nominell freier 4d-Position zusammenhängt. Die spezifische... Show more
December 13, 2019
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