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Thermische chemische Gasphasenabscheidung von epitaktischem rhomboedrischem Bornitrid aus Trimethylbor und Ammoniak

By Laurent Souqui and others at
LogoLinköping University
Epitaktische rhomboedrische Bornitridfilme wurden auf α-Al2O3 (001) -Substraten durch chemische Gasphasenabscheidung unter Verwendung von Trimethylbor, Ammoniak und mit einer geringen Konzentration an Silan im Wachstumsfluss abgeschieden. Die Abscheidungen wurden bei Temperaturen von 1200 bis 1485°C, Drücken von 30 bis 90 mbar und N/B-Verhältnissen von 321 bis 1286 durchgeführt. Die günstigsten... Show more
December 11, 2018
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Thermal Chemical Vapor Deposition of Epitaxial Rhombohedral Boron Nitride from Trimethylboron and Ammonia
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