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Elektrisches feldinduziertes metallisches Verhalten in dünnen Kristallen aus ferroelektrischem α-In2Se3

By Justin Rodriguez and others
Ferroelektrische Halbleiter-Feldeffekttransistoren (FeSmFETs), die ferroelektrische halbleitende dünne Kristalle aus {\alpha} -In2Se3 als Kanalmaterial im Gegensatz zum Gatedielektrikum in herkömmlichen ferroelektrischen FETs (FeFETs) verwenden, wurden hergestellt und von Raum- bis Flüssighelium-Temperaturen gemessen. Es wurde festgestellt, dass diese FeSmFETs Beweise für die Neuausrichtung der elektrischen Polarisation und einen durch elektrisches Feld induzierten... Show more
May 21, 2020
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Electric field induced metallic behavior in thin crystals of ferroelectric α-In2Se3
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